Wir wissen das Der Transistor besteht aus drei Anschlüssen nämlich Emitter, Kollektor und Basis, und diese werden mit E, C und B bezeichnet. Bei Anwendungen von Transistoren benötigen wir jedoch vier Anschlüsse, zwei Anschlüsse für den Eingang und die verbleibenden zwei Anschlüsse für den Ausgang. Um dieses Problem zu beheben, verwenden wir ein Terminal für I / P- und O / P-Aktionen. Mit diesem Konzept entwerfen wir die Schaltungen, die die erforderlichen Eigenschaften bieten, und diese Konfigurationen werden als Transistorkonfigurationen bezeichnet.
Transistorkonfigurationen
Arten von Transistorkonfigurationen
Die drei verschiedenen Arten von Transistorkonfigurationen sind
- Gemeinsame Basistransistorkonfiguration
- Gemeinsame Emittertransistorkonfiguration
- Gemeinsame Kollektortransistorkonfiguration
Jetzt diskutieren wir über die obigen drei Transistorkonfiguration s mit Diagrammen.
Arten von Transistorkonfigurationen
Common Base Transistor Konfiguration (CB)
Die gemeinsame Basistransistorkonfiguration ergibt einen niedrigen I / P-Wert bei gleichzeitig hoher O / P-Impedanz. Wenn die Spannung des CB-Transistors hoch ist, ist die Verstärkung des Stroms und die Gesamtverstärkung der Leistung im Vergleich zu den anderen Transistorkonfigurationen ebenfalls niedrig. Das Hauptmerkmal des B-Transistors ist, dass die i / p und o / p des Transistors in Phase sind. Das folgende Diagramm zeigt die Konfiguration des CB-Transistors. In dieser Schaltung ist der Basisanschluss beiden I / P & O / P-Schaltungen gegenüberliegend.
Common Base Transistor Konfiguration
Die Stromverstärkung der CB-Schaltung wird nach einer Methode berechnet, die mit der des CE-Konzepts verwandt ist, und mit Alpha (α) bezeichnet. Dies ist die Beziehung zwischen Kollektorstrom und Emitterstrom. Die Stromverstärkung wird unter Verwendung der folgenden Formel berechnet.
Alpha ist das Verhältnis von Kollektorstrom (Ausgangsstrom) zu Emitterstrom (Eingangsstrom). Alpha wird nach folgender Formel berechnet:
α = (∆Ic) / ∆IE
Wenn sich beispielsweise der I / P-Strom (IE) in einem gemeinsamen Basisstrom von 2 mA auf 4 mA und der O / P-Strom (IC) von 2 mA auf 3,8 mA ändert, beträgt die Verstärkung des Stroms 0,90
Die Stromverstärkung des CB-Stroms beträgt weniger als 1. Wenn der Emitterstrom in den Basisanschluss fließt und nicht als Kollektorstrom fungiert. Dieser Strom ist immer geringer als der Emitterstrom, der ihn verursacht. Die Verstärkung der gemeinsamen Basiskonfiguration ist immer kleiner als 1. Die folgende Formel wird verwendet, um die Stromverstärkung des CE (α) zu berechnen, wenn der CB-Wert angegeben wird, d. H. (β).
Common Collector Transistor Configuration (CC)
Die gemeinsame Kollektortransistorkonfiguration ist auch als Emitterfolger bekannt, da die Emitterspannung dieses Transistors dem Basisanschluss des Transistors folgt. Das Anbieten einer hohen I / P-Impedanz und einer niedrigen O / P-Impedanz werden üblicherweise als Puffer verwendet. Die Spannungsverstärkung dieses Transistors ist Eins, die Stromverstärkung ist hoch und die O / P-Signale sind in Phase. Das folgende Diagramm zeigt die Konfiguration des CC-Transistors. Der Kollektoranschluss ist sowohl für I / P- als auch für O / P-Schaltkreise wechselseitig.
Allgemeine Kollektor-Transistor-Konfiguration
Die Stromverstärkung der CC-Schaltung wird mit (γ) bezeichnet und unter Verwendung der folgenden Formel berechnet.
Diese Verstärkung hängt mit der CB-Stromverstärkung zusammen, die Beta (β) ist, und die Verstärkung der CC-Schaltung wird berechnet, wenn der b-Wert durch die folgende Formel gegeben ist 
Wenn die Transistor ist angeschlossen In einer der drei Grundkonfigurationen wie CE, CB und CC besteht eine Beziehung zwischen Alpha, Beta und Gamma. Diese Beziehungen sind unten angegeben.
Beispielsweise beträgt der aktuelle Verstärkungswert des gemeinsamen Basiswerts (α) 0,90, dann kann der Beta-Wert als berechnet werden
Daher führt eine Änderung des Basisstroms dieses Transistors zu einer Änderung des Kollektorstroms, die neunmal so groß ist. Wenn wir denselben Transistor in einem CC verwenden möchten, können wir Gamma anhand der folgenden Gleichung berechnen.
Common Emitter Transistor Konfiguration (CE)
Die übliche Emittertransistorkonfiguration ist die am weitesten verbreitete Konfiguration. Die Schaltung des CE-Transistors gibt einen mittleren I / P- und O / P-Impedanzpegel an. Die Verstärkung sowohl der Spannung als auch des Stroms kann als Medium definiert werden, aber der O / P ist dem I / P entgegengesetzt, der 1800 Phasenänderungen entspricht. Dies ergibt eine gute Leistung und wird häufig als die am häufigsten verwendeten Konfigurationen angesehen. Das folgende Diagramm zeigt die Konfiguration des CE-Transistors. Bei dieser Art von Schaltung ist der Emitteranschluss sowohl für i / p als auch für p / o / p wechselseitig.
Common Emitter Transistor Konfiguration
Die folgende Tabelle zeigt die Konfigurationen von Transistoren mit gemeinsamem Emitter, gemeinsamer Basis und gemeinsamem Kollektor.
Die Stromverstärkung der Common Emitter (CE) -Schaltung wird mit Beta (β) bezeichnet. Dies ist die Beziehung zwischen Kollektorstrom und Basisstrom. Die folgende Formel wird zur Berechnung des Beta (β) verwendet. Delta wird verwendet, um eine kleine Änderung anzugeben
Wenn sich beispielsweise der I / P-Strom (IB) in einem CE von 50 mA auf 75 mA und der O / P-Strom (IC) von 2,5 mA auf 3,6 mA ändert, beträgt die Stromverstärkung (b) 44.
Aus der obigen Stromverstärkung können wir schließen, dass eine Änderung des Basisstroms eine Änderung des Kollektorstroms erzeugt, die 44-mal größer ist.
Das ist alles anders Arten von Transistoren Konfigurationen, die eine gemeinsame Basis, einen gemeinsamen Kollektor und einen gemeinsamen Emitter umfassen. Wir glauben, dass Sie dieses Konzept besser verstehen. Bei Fragen zu diesem Konzept oder zu Elektronikprojekten geben Sie bitte Ihre wertvollen Vorschläge, indem Sie im Kommentarbereich unten einen Kommentar abgeben. Es gibt eine Frage an Sie, welche Funktion hat der Transistor?
