Einführung in den Uni-Junction-Transistor

Uni-Junction-Transistor

Uni-Junction-Transistor wird auch als Doppelbasisdiode bezeichnet, da es sich um eine zweischichtige Festkörperschaltvorrichtung mit drei Anschlüssen handelt. Es hat nur eine Verbindungsstelle und wird daher als Uni-Verbindungsstelle bezeichnet. Das einzigartige charakteristische Merkmal dieses Geräts ist, dass der Emitterstrom beim Auslösen ansteigt, bis er durch eine Emitterstromversorgung eingeschränkt wird. Aufgrund seiner geringen Kosten kann es in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden, einschließlich Oszillatoren, Impulsgeneratoren und Triggerschaltungen usw. Es ist ein Absorptionsgerät mit geringer Leistung und kann unter normalen Bedingungen betrieben werden.

Es gibt 3 Arten von Uni-Junction-Transistoren

Original Uni-Junction-Transistor
Kostenloser Uni-Junction-Transistor
Programmierbarer Uni-Junction-Transistor (PUT)

1. Original Uni-Junction-Transistor oder UJT ist eine einfache Vorrichtung, bei der ein Stab aus Halbleitermaterial vom N-Typ, in den Material vom P-Typ irgendwo entlang seiner Länge diffundiert, den Vorrichtungsparameter als intrinsischen Abstand definiert. Der 2N2646 ist die am häufigsten verwendete Version von UJT. UJTs sind in Schaltkreisen sehr beliebt und werden niemals als Verstärker verwendet. UJT-Anwendungen können als verwendet werden Entspannungsoszillatoren , Phasensteuerungen, Zeitschaltkreise und Triggergeräte für SCRs und Triacs.

2. Kostenloser Uni-Junction-Transistor oder CUJT ist ein Balken aus Halbleitermaterial vom P-Typ, in den Material vom N-Typ irgendwo entlang seiner Länge diffundiert, wodurch der Geräteparameter als intrinsischer Abstand definiert wird. Der 2N6114 ist eine Version von CUJT.

3. Programmierbarer Uni-Junction-Transistor oder PUT ist ein enger Verwandter des Thyristors, genau wie der Thyristor. Er besteht aus vier PN-Schichten und hat Anode und Kathode an der ersten und letzten Schicht. Die Schicht vom N-Typ in der Nähe der Anode ist als Anodentor bekannt. Es ist kostengünstig in der Produktion.

Programmierbarer Uni-Sperrschichttransistor

Unter diesen drei Transistoren wird in diesem Artikel kurz auf die Funktionsweise und den Aufbau des UJT-Transistors eingegangen.

Bau von UJT

UJT ist ein zweischichtiges Gerät mit drei Anschlüssen und einem Übergang und ähnelt einem Thyristor im Vergleich zu einem Transistor. Es hat einen hochohmigen Aus-Zustand und einen niedrigohmigen Ein-Zustand, der einem Thyristor ziemlich ähnlich ist. Vom Aus-Zustand in einen Ein-Zustand wird das Schalten durch Leitfähigkeitsmodulation und nicht durch eine Bipolartransistorwirkung verursacht.

Bau von UJT

Der Siliziumstab hat zwei Ohmsche Kontakte, die als Basis1 und Basis2 bezeichnet sind, wie in der Abbildung gezeigt. Die Funktion der Basis und des Emitters unterscheidet sich von der Basis und dem Emitter eines Bipolartransistors.

Der Emitter ist vom P-Typ und stark dotiert. Der Widerstand zwischen B1 und B2 bei offenem Emitter wird als Inter-Base-Widerstand bezeichnet. Der Emitterübergang befindet sich normalerweise näher an der Basis B2 als an der Basis B1. Das Gerät ist also nicht symmetrisch, da die symmetrische Einheit für die meisten Anwendungen keine elektrischen Eigenschaften bietet.

Das Symbol für den Uni-Junction-Transistor ist in der Abbildung dargestellt. Wenn das Gerät in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist, ist es aktiv oder befindet sich im leitenden Zustand. Der Emitter wird in einem Winkel zur vertikalen Linie gezeichnet, die die Materialplatte vom N-Typ darstellt, und die Pfeilspitze zeigt in Richtung des herkömmlichen Stroms.

Betrieb eines UJT

Dieser Transistorbetrieb beginnt damit, dass die Emitterversorgungsspannung auf Null gebracht wird, und seine Emitterdiode wird mit der intrinsischen Abstandsspannung in Sperrrichtung vorgespannt. Wenn VB die Spannung der Emitterdiode ist, beträgt die gesamte Sperrvorspannung VA + VB = Ƞ VBB + VB. Wenn für Silizium VB = 0,7 V VE langsam bis zu dem Punkt ansteigt, an dem VE = Ƞ VBB ist, wird IE auf Null reduziert. Daher führt auf jeder Seite der Diode bei gleicher Spannung kein Stromfluss durch sie, weder in Sperr- noch in Vorwärtsrichtung.

Ersatzschaltbild eines UJT

Wenn die Emitterversorgungsspannung schnell erhöht wird, wird die Diode in Vorwärtsrichtung vorgespannt und überschreitet die gesamte Rückwärtsvorspannung (Ƞ VBB + VB). Dieser Emitterspannungswert VE wird als Spitzenpunktspannung bezeichnet und mit VP bezeichnet. Wenn VE = VP ist, fließt der Emitterstrom IE durch den RB1 zur Erde, dh B1. Dies ist der Mindeststrom, der zum Auslösen des UJT erforderlich ist. Dies wird als Spitzenpunkt-Emitterstrom bezeichnet und mit IP bezeichnet. Ip ist umgekehrt proportional zur Inter-Base-Spannung VBB.

Wenn nun die Emitterdiode zu leiten beginnt, werden Ladungsträger in den RB-Bereich des Balkens injiziert. Da der Widerstand eines Halbleitermaterials von der Dotierung abhängt, nimmt der Widerstand von RB aufgrund zusätzlicher Ladungsträger ab.

Dann nimmt auch der Spannungsabfall über RB mit abnehmendem Widerstand ab, da die Emitterdiode stark in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist. Dies führt wiederum zu einem größeren Durchlassstrom, und infolgedessen werden Ladungsträger injiziert, und dies führt zu einer Verringerung des Widerstands des RB-Bereichs. Somit steigt der Emitterstrom weiter an, bis sich die Emitterstromversorgung in einem begrenzten Bereich befindet.

VA nimmt mit zunehmendem Emitterstrom ab und UJT hat die negative Widerstandscharakteristik. Die Basis 2 wird zum Anlegen einer externen Spannung VBB an sie verwendet. Die Klemmen E und B1 sind die aktiven Klemmen. UJT wird normalerweise durch Anlegen eines positiven Impulses an den Emitter ausgelöst und kann durch Anlegen eines negativen Triggerimpulses ausgeschaltet werden.

Vielen Dank, dass Sie Ihre wertvolle Zeit mit diesem Artikel verbracht haben, und wir hoffen, dass Sie einen guten Inhalt über UJT-Anwendungen erhalten haben. Bitte teilen Sie Ihre Meinung zu diesem Thema mit, indem Sie unten einen Kommentar abgeben.

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