EEE- und ECE-Ingenieurstudien umfassen mehrere technische Fächer, darunter Leistungselektronik , Stromversorgungssysteme, Steuerungssysteme, elektrische Maschinen, VLSI, eingebettete Systeme , und so weiter. Leistungselektronik ist das Grundthema, in dem mehrere leistungselektronische Geräte wie SCR, TRIAC , DIAC , MOSFET , IGBT, Wandler, Motortreiber, Wechselrichter, Gleichstromtreiber usw. werden beim Entwerfen verschiedener Schaltungen und Projekte unter Verwendung verschiedener Steuermechanismen wie Zündwinkelsteuerung, PWM-Steuerung usw. verwendet.
SCR-Thyristor ist ein Gleichrichter mit drei Anschlüssen, der aus Silizium besteht (typischerweise wird Silizium verwendet) und daher auch als bezeichnet wird Siliziumgesteuerter Gleichrichter oder SCR. Der Betrieb des SCR kann gesteuert werden, indem die Verzögerung beim Abgeben des Auslöseimpulses an den Gate-Anschluss gesteuert wird, der als Zündwinkelsteuerung bezeichnet wird. In der Leistungselektronik sind die Wandler wie Doppelwandler, Zyklokonverter usw. werden unter Verwendung von Thyristoren konstruiert und können unter Verwendung eines Steuermechanismus wie einer Zündwinkelsteuerung gesteuert werden.
Ein Triac kann als zwei Thyrsitoren definiert werden, die in antiparalleler Richtung verbunden sind und nur einen Gate-Anschluss haben. Da also zwei Thryistoren in der entgegengesetzten Richtung verbunden sind, kann der Triac in beide Richtungen leiten, d. H. Für beide Spannungspolaritäten, die angelegt werden, indem ein Triggerimpuls an den Gate-Anschluss abgegeben wird. Daher wird es auch als Vollwellenthyristor bezeichnet.
In Wechselstromregelkreisen, z Auslösen der Thyrsitoren und Triacs wird typischerweise eine bidirektionale Triggerdiode verwendet, die als DIAC bezeichnet wird. Es kann durch Verbinden von zwei Dioden in antiparalleler Richtung gebildet werden (Kathode einer Diode ist mit Kathode einer anderen Diode verbunden) und erscheint wie TRIAC ohne Gate-Anschluss und PNP-Transistor Struktur ohne Basisanschluss.
In diesem Artikel haben wir Meinungen einiger technischer Experten zu Geräten und Steuermechanismen in der Leistungselektronik gesammelt.
Naresh, M.Tech (Embedded Systems)
F & E, Inhaltsschreiber
Die leistungselektronischen Geräte spielen eine wichtige Rolle in der Echtzeitindustrie, die zur Steuerung und Umwandlung der elektrischen Energie verwendet wird. Die Silizium-Steuergleichrichter (SCRS), Thyristoren, finden viele Anwendungen in der Elektronik und insbesondere für Stromschalter . Diese Geräte wurden sogar als die Säule der Hochleistungselektronik bezeichnet. Thyristoren können eine große Menge an Leistung schalten und werden dementsprechend in einer Vielzahl unterschiedlicher Anwendungen eingesetzt.
Thyristoren finden sogar Verwendung in der Elektronik mit geringer Leistung, wo sie in vielen Schaltkreisen von Lichtdimmern bis hin zu Lichtdimmern verwendet werden Netzteil Überspannungsschutz. Der Begriff SCR oder siliziumgesteuerter Gleichrichter wird häufig synonym mit dem des Thyristors verwendet - der SCR- oder siliziumgesteuerte Gleichrichter ist eigentlich ein Handelsname, der von General Electric verwendet wird. Die Energieunterstützung ist ein wichtiges Konzept, das vorgibt, die von Power Electronics implementierte kundenorientierte Strategie zu erklären.
Sampath Kumar, M. Tech (VLSI) & B. Tech (ECE)
Technischer Inhaltsschreiber
Die Leistungselektronik kümmert sich um das Schalten elektronische Schaltkreise um den Energiefluss zu steuern. In der Leistungselektronik werden verschiedene Komponenten verwendet, z. B. Dioden, Schottky-Dioden und Leistung Bipolare Übergangstransistoren , MOSFETs, Thyristoren, Siliziumgesteuerter Gleichrichter (SCR), Gate-Ausschaltthyristoren, Bipolartransistoren mit isoliertem Gate Gate-kommutierte Thyristoren.
Bei Thyristoren (Leistungselektronik) ist der Zündwinkel eine Art von Steuermechanismus. Dies ist der Phasenwinkel der Spannung, bei der der SCR eingeschaltet wird. Es gibt zwei Methoden zum Drehen eines SCR, eine durch Anlegen einer Spannung oder durch Anlegen eines Gate-Stroms über den SCR, bis er größer als die Durchbruchspannung wird.
Viswanath Prathap, M. Tech (EPE) & B. Tech (EEE)
Technischer Inhaltsschreiber
Leistungselektronikgeräte können basierend auf ihrem Steuermechanismus in verschiedene Typen eingeteilt werden, z. B. unkontrollierte, halbgesteuerte, vollständig gesteuerte leistungselektronische Geräte. Im Allgemeinen werden Dioden als unkontrollierte leistungselektronische Geräte bezeichnet (sie leiten basierend auf der Spannung an ihren Anschlüssen), da wir den Betrieb der Diode mit keinem Steuersystem steuern können. Thyrsitoren können als halbgesteuerte Geräte behandelt werden, da wir den Thyristor durch Anlegen eines Gate-Impulses auslösen oder einschalten können, aber zum Ausschalten des Thyristors a Stromkreis oder Steuermechanismus, beispielsweise unter Verwendung von Kommutierungsmethoden. Die leistungselektronischen Geräte wie MOSFET, IGBT usw. werden als voll gesteuerte Geräte bezeichnet, da sie mithilfe von Steuersignalen ein- und ausgeschaltet werden können.
Die Leistungselektronikgeräte können weiter in verschiedene Typen unterteilt werden, wie z. B. stromgesteuerte Leistungselektronikgeräte (Thyristor, Riesentransistor, GTO usw.), spannungsgesteuerte Leistungselektronikgeräte (MOSFET, IGBT, IGCT, SIT, MCT usw.) ), pulsgetriggerte Geräte (Thyrsitoren), pegelgetriggerte Geräte (MOSFET, IGBT, IGCT, SIT, MCT usw.), unipolare Geräte ( Leistungs-MOSFET ), bipolare Geräte (IGBT, GTO, IGCT, MCT, GTR), zusammengesetzte Leistungselektronikgeräte (IGBT, MCT).
