2N3055 Datenblatt, Pinbelegung, Anwendungsschaltungen

Der 2N3055 ist ein bipolarer Leistungstransistor, der für hohe Leistungslasten im Bereich von 100 V und 15 Ampere ausgelegt ist.

In diesem Beitrag werden die Pinbelegungsfunktion, die elektrischen Spezifikationen und die Anwendungsdesigns für den Leistungstransistor 2N3055 ausführlich erläutert.

Wenn Sie ein elektronischer Hobbyist sind, haben Sie diesen sehr nützlichen und effizienten Leistungstransistor sicherlich mindestens einmal in Ihren Experimenten verwendet. Ich habe 2N3055-Transistor viele Male in vielen meiner Hochstromschaltungsanwendungen ohne Probleme verwendet.

Haupteigenschaften

• Gleichstromverstärkung oder hFE = 20 - 70 @ IC = 4 Ampere (Kollektorstrom)
• Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung - V._{EG (Dorf)}= 1,1 VDC (max.) @ IC = 4 Adc
• Hervorragender sicherer Betriebsbereich
• Verfügbar mit Pb-freien Paketen

Pinbelegung

So schließen Sie die Pinbelegung an

Wie bei jedem anderen npn BJT sind auch die 2N3055-Verbindungen recht unkompliziert. In dem gemeinsamer Emitter In der am häufigsten verwendeten Konfiguration ist der Emitter-Pin mit der Erdungsleitung oder der negativen Versorgungsleitung verbunden.

Die Basis ist über das Eingangssignal geschaltet, über das der Transistor ein- oder ausgeschaltet werden muss. Dieses Eingangsschaltsignal kann idealerweise irgendwo zwischen 1 V und 12 V liegen. Ein berechneter Widerstand muss in Reihe mit der Basisbelegung des Transistors geschaltet werden.

Der Basiswiderstandswert hängt von den Lastspezifikationen ab, die am Kollektorstift des Transistors angebracht sind. Die Grundformel kann studiert werden aus diesem Artikel .

Der Kollektorstift sollte mit einer Klemme der Last verbunden sein, während die andere Klemme mit der positiven Versorgungsleitung verbunden ist. Die Laststromspezifikationen müssen um jeden Preis unter 15 Ampere liegen, tatsächlich unter 14 Ampere, um zu vermeiden, dass der Strom die Durchschlaggrenze erreicht.

MAXIMALE BEWERTUNGEN UND SPEZIFIKATIONEN DES TRANSISTORS 2N3055

Maximalwerte sind die höchsten tolerierbaren Werte, ab denen das Gerät dauerhaft beschädigt werden kann. Diese für das Gerät angegebenen Nennwerte sind Spannungsgrenzwerte (nicht die Standardbetriebskriterien) für das jeweilige Gerät und gelten nicht gleichzeitig.

Wenn diese Grenzwerte überschritten werden, funktioniert das Gerät möglicherweise nicht mehr mit den Standardspezifikationen, was zu schweren Schäden am Gerät führt und auch die Zuverlässigkeitsparameter beeinträchtigt.

1. Spannung von Kollektor zu Emitter V._Himmel= 70 VDC
2. Kollektor-Basisspannung V._CB= 100 VDC
3. Emitter zu Basisspannung V._EB= 7 VDC
4. Kontinuierlicher Kollektorstrom I._C.= 15 Adc
5. Basisstrom I._B.= 7 Adc
6. Gesamtverlustleistung bei TC = 25 ° C Derate über 25 ° C PD = 115 W bei 0,657 W / ° C.
7. Betriebs- und Lagerungstemperaturbereich TJ, Tstg = - 65 bis +200 ° C.

THERMISCHE EIGENSCHAFTEN von 2N3055

Wärmewiderstand vom Übergang zum Fall R0JC = 1,52 C / W.

ELEKTRISCHE EIGENSCHAFTEN von 2N3055 (TC = 25 ° C, sofern nicht anders angegeben)

MERKMALE, WENN DAS GERÄT AUSGESCHALTET IST

1. Kollektor-Emitter-Haltespannung bei Kollektorstrom IC = 200 mAdc, I._B.= 0) V._{CEO (ihre)}= 60 VDC
2. Kollektor-Emitter-Haltespannung am Kollektorstrom IC = 200 mAdc, R._SEIN= 100 fi) V._{CER (ihre)}= 70 VDC
3. Kollektor-Abschaltstrom (V._DIES= 30 VDC, I._B.= 0) I._Vorsitzender= 0,7 mA
4. Kollektor-Abschaltstrom (V._DIES= 100 VDC, V._{Aus sein)}= 1,5 VDC) I._exc= 1,0 mA
5. Emitter-Abschaltstrom (V._SEIN= 7,0 VDC, I._C.= 0) I._EBO= 5,0 mA

EIGENSCHAFTEN BEI EINEM GERÄT

1. Gleichstromverstärkung (I._C.= 4,0 Adc, V._DIES= 4,0 VDC) (I._C.= 10 Adc, V._DIES= 4,0 VDC) hFE = 20 bis 70
2. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (I._C.= 4,0 Adc, I._B.= 400 mAdc) (I._C.= 10 Adc, I._B.= 3,3 Adc) V._{EG (Dorf)}= 1,1 bis 3 VDC
3. Basis-Emitter-Ein-Spannung (IC = 4,0 Adc, V._DIES= 4,0 VDC) V._{BE (on)}= 1,5 VDC

DYNAMISCHE EIGENSCHAFTEN

1. Aktuelle Verstärkung - Bandbreitenprodukt (I._C.= 0,5 Adc, V._DIES= 10 VDC, f = 1,0 MHz) fT = 2,5 MHz
2. * Kleinsignalstromverstärkung (I._C.= 1,0 Adc, VCE = 4,0 VDC, f = 1,0 kHz) hfe = 15 bis 120
3. * Grenzfrequenz für Kleinsignalstromverstärkung (VCE = 4,0 VDC, I._C.= 1,0 Adc, f = 1,0 kHz) f hfe = 10 kHz
4. * Zeigt innerhalb der JEDEC-Registrierung an. (2N3055)

Der Transistor weist einige Einschränkungen hinsichtlich der Belastbarkeit auf.

1. Durchschnittliche Sperrschichttemperatur
2. Die Spannung unterbrechen

Sichere Betriebsbereichskurven zeigen das I an_C.- V._DIESGrenzen des Transistors 2N3055, die beachtet werden müssen, um einen stabilen und fehlerfreien Betrieb zu gewährleisten. Dies bedeutet, dass der Transistor nicht mit höheren Verlustleistungen betrieben werden darf, als in den Kurvenspuren angegeben.

Die in der folgenden Abbildung angegebenen Daten wird aufgetragen, während TC = 25 ° C TJ (pk) entsprechend dem Leistungspegel variabel ist.

Zweite Durchbruchimpulsgrenzen sind für Arbeitszyklen bis zu 10% legitim, müssen jedoch für die in der folgenden Abbildung angegebenen Temperaturen herabgesetzt werden:

Anwendungsschaltungen mit 2N3055

Der 2N3055 ist ein vielseitiger NPN-Leistungstransistor, der effektiv für alle Schaltungen mit mittlerer Leistung (Strom) eingesetzt werden kann. Die wenigen Hauptanwendungen dieser Anwendungen liegen im Bereich von Wechselrichtern und Leistungsverstärkern. Aufgrund des relativ hohen hFE-Bereichs kann dieses Gerät in einer Vielzahl von Schaltkreisen eingesetzt werden, um hohen Strom effizient zu handhaben.

Das TO3-Metallgehäuse eignet sich ideal zum schnellen und einfachen Anbringen eines schnell abkühlenden großen Kühlkörpers, sodass das Gerät unter den günstigsten Bedingungen arbeiten kann.

Ich habe viel davon 2N3055-basierte Schaltungen Ich freue mich, Ihnen auf dieser Website einige davon hier vorstellen zu können.

Verstärkerschaltung mit einem einzigen 2N3055

Die Schaltung ist die grundlegendste Form eines Leistungsverstärkers, der mit einem einzigen 2N3055 BJT aufgebaut werden kann.

Obwohl der obige Verstärker zu einfach aussieht, zwingt das Low-Tech-Design den 2N3055 dazu, viel Energie durch Wärme abzuleiten.

Für ein effizienteres und HiFi-Verstärker-Design empfehle ich das folgende Mini-Crescendo, das möglicherweise eine der klassischsten und effizientesten Verstärkerschaltungen ist, bei denen nur ein Paar 2N3055-Transistoren verwendet wird. Für vollständige Details können Sie Lesen Sie diesen Artikel

Kleinster Wechselrichter mit 2N3055

Ich bin sicher, dass Sie bereits darauf gestoßen sind kleine Wechselrichterschaltung . Diese Schaltung verwendet nur zwei 2N3055 und einen Transformator zur Erzeugung eines vernünftig betriebenen 60 bis 100 Watt 50 Hz Wechselrichters. Ein ideales Projekt für alle neuen Hobbyisten und Schüler.

R1, R2 = 100 OHMS./ 10 WATTS WIRE WOUND

R3, R4 = 15 OHMS / 10 WATTS WIRE WOUND

T1, T2 = 2N3055 LEISTUNGSTRANSISTOREN

Wechselrichter 100 Watt mit 2N3055

Wenn Sie mit der Leistung des obigen Designs nicht zufrieden sind, können Sie ihn jederzeit mit einem oder mehreren parallelen 2N3055-Transistoren auf einen vollwertigen Wechselrichter mit 100 bis 500 Watt aufrüsten, wie unten gezeigt:

Variabler Stromversorgungskreis mit 2N3055

Mit einem einzelnen 2N3055-Transistor und einigen anderen ergänzenden Komponenten kann schnell ein einfach zu erstellendes Netzteil mit variabler Spannung und Stromstärke aufgebaut werden:

Für weitere Beschreibung und Teileliste können Sie Besuchen Sie diesen Beitrag

12V bis 48V Ladegerät mit 2N3055

Bitte schalten Sie einen 100 Ohm 1 Watt Widerstand in Reihe mit der Transistorbasis

Diese einfache automatische Batterieladeschaltung auf 2N3055-Basis kann zum Laden jeder Blei-Säure-Batterie von 12 V bis 48 V verwendet werden.

Die hohe Strombelastbarkeit von bis zu 7 Ampere dieses Geräts ermöglicht ein ideales Laden für jeden Akku von 7 Ah bis 150 Ah unter Verwendung der obigen Schaltung.

Es verfügt über eine automatische Abschaltfunktion, die es dem Akku niemals ermöglicht, überladen zu werden.

Fazit

Aus dem obigen Beitrag haben wir die wichtigsten Spezifikationen und das Datenblatt des vielseitigen Arbeitspferdetransistors 2N3055 gelernt.

Dieser Transistor ist ein BJT mit universeller Leistung, der in fast allen Anwendungen mit höherer Leistung verwendet werden kann, bei denen ein hoher Strom und ein effizientes Schalten des Stroms erwartet werden.

Die maximale Spannung, die dieses Gerät verarbeiten kann, beträgt 70 V, was sehr beeindruckend aussieht, und ein Dauerstrom von etwa 15 Ampere, wenn das Gerät über einem gut belüfteten Kühlkörper montiert wird.

Wir haben auch einige coole Anwendungsschaltungen mit 2N3055 untersucht und wie man sie über das Pinbelegungsdiagramm verbindet.

Wenn Sie weitere Zweifel haben, verwenden Sie bitte das Kommentarfeld unten für die Interaktion.